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X-NAND技术有望为QLC闪存带来SLC级别性能

时间:2021-08-11 11:10:07来源:cnBeta

导语:​导读:X-NAND的特点,是在单个封装中结合SLC NAND的性能优势以及多bit的存储密度。

  导读:X-NAND的特点,是在单个封装中结合SLC NAND的性能优势以及多bit的存储密度。

  回顾过去十年的SSD发展史,可见固态硬盘的速度和性价比都变得越来越高。大约十年前,32GB/64GB SSD的价格可能高达500/1100美元。现如今,不到150美元就能买到1TB型号。然而随着一项被称作X-NAND的新技术的问世,这一趋势还将得到进一步的延续。

  为了在每个存储单元塞入更多的数据位,闪存已从1-bit的SLC,逐渐发展到了2、3、4-bit的 MLC/TLC/QLC。

  此外还有5-bit的PLC NAND正在开发中,只是我们无法早于2025年见到它的身影。

  对于大多数网友来说,可能都知道SLC NAND闪存的速度和耐用性最佳,但成本也居高不下。

  另一方面,尽管TLC和QLC NAND的速度相对较慢,但在DRAM和SLC缓存策略的加持下,其依然很适合用于制造更具成本效益的大容量SSD。

  有趣的是,由Andy Hsu在2012年成立的闪存设计与半导体初创企业Neo Semiconductor,宣称能够借助全新的的X-NAND闪存技术来获得更高的性能与成本效益。

  早在去年的闪存峰会上,外媒就已经报道过X-NAND。不过直到本月,这家公司才被正式授予了两项关键专利。

  X-NAND的特点,是在单个封装中结合SLC NAND的性能优势以及多bit的存储密度。

  与传统方案相比,X-NAND可将闪存芯片的缓冲区大小减少多达94%,使得制造商能够将每个芯片的平面数量,从2-4个大幅增加到16-64个。

  基于此,NAND芯片可实现更高的读取和写入并行性能,进而甚至可提升SLC NAND的性能。

  理论上,X-NAND可将顺序读取速率提升至QLC的27倍、将顺序写入速率提升15倍、以及将随机读写性能提升3倍。

  同时得益于NAND芯片的更小、更低功耗,其制造成本也可控制到QLC相当。至于耐用性会有多大的改善,说起来就有些复杂了。即便如此,该公司还是声称会较传统TLC/QLC闪存有所改善。

  目前Neo Semiconductor正在寻求与三星、英特尔、美光、铠侠、西部数据、SK海力士等 NAND制造商建立合作伙伴关系。截止发稿时,该公司已拥有22项相关专利。


标签: 芯片

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