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第三代半导体突破供电瓶颈 有望在AI数据中心领域广泛应用

时间：2025-11-13

来源：电子技术应用

导语：为支持高功耗高性能AI计算日益增长的需求，碳化硅衬底逐渐被用于AI数据中心电源供应单元的交直流转换阶段。

　　为支持高功耗高性能AI计算日益增长的需求，碳化硅衬底逐渐被用于AI数据中心电源供应单元的交直流转换阶段。

　　降低能耗、改进散热解决方案并提升服务器的功率密度，打开了碳化硅产品的应用领域和天花板。

　　AI服务器功耗高，数据中心需要使用更高功率的供电架构。

　　为了应对更高端的AI运算，服务器供电系统各环节的效能、功率密度需要进一步提高。

　　SiC/GaN等第三代半导体材料具有高击穿电场、高迁移率等特点，允许材料在更高的温度和电压下运行，降低能耗和成本。

　　目前头部厂商正在持续推动SiC/GaN在AI数据中心领域应用。

　　东方证券指出，展望未来，在AI服务器及数据中心的大功率供电需求不断提升的趋势下，SiC/GaN有望得到更广泛的应用。

　　相关上市公司中：

　　天岳先进表示，公司的客户英飞凌、安森美已成功进入英伟达等行业巨头的供应链，成为AI算力基础设施的重要组成部分。

　　三安光电的碳化硅产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试，产品已广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、AI及数据中心服务器等领域。


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