2022年由于众所周知的原因，导致中国存储芯片难以获得先进芯片设备，他们的技术研发也因此一度陷入停滞。

　　2022年中国的存储芯片率先量产232层NAND flash，技术上的超越发起了第一轮价格战，让三星利润暴跌九成，美国存储芯片企业美光巨亏数十亿美元。

　　之后美日韩存储芯片量产了更先进的300层NAND flash，技术上再取得优势，加上他们本来就占有超过九成的市场份额，技术和市场优势让他们联合推动价格翻倍，利润大幅增长。

　　这两年中国存储芯片力推国产芯片设备替代，存储芯片无需如逻辑芯片那样采用先进的工艺，例如DRAM内存就只是用到19纳米工艺，用落后一些的工艺，存储芯片可以更耐用、更可靠，国产芯片逐渐恢复了正常生产，技术方面也取得了突破。

　　据悉今年中国存储芯片产能占全球的份额已达到10%，较2022年的5%翻了一倍，生产恢复正常后，中国存储芯片开始再度大举攻占市场，由此近两个月以来DDR4内存降价了四成。

　　中国存储芯片也已开始量产DDR5内存芯片，据称良率已达到80%，而明年中国存储芯片产能占全球的比例将达到15%，产能的进一步增加，以及技术上的升级，可以预期明年中国存储芯片的攻势会更猛。

　　存储芯片是中国芯片发起攻势的一个缩影，中国在成熟芯片方面已快与中国台湾比肩，随着中国成熟芯片产能的大幅上升，中国芯片正大举在全球发起攻势。

　　近期中国台湾的媒体就指出中国的芯片代工企业以六成的价格抢夺芯片客户，众多中国台湾的芯片企业已心动，因此减少了给中国台湾的联电、力积电的订单，而大举增加对中国大陆芯片代工企业的下单。

　　这也推动中国大陆的芯片代工企业在今年三季度均取得一成以上的增长，其中中芯国际更是以14%的增速居于全球第一，连全球最强的台积电增速也只有13%多点，而联电、力积电等的增长只有个位数，三星的芯片代工更是大幅下跌。

　　中国的成熟芯片大举进攻国际市场，推动中国芯片出口额在今年前11个月就已突破万亿元人民币，这也是中国芯片出口首次突破万亿元人民币，凸显出中国芯片在国际市场的猛烈攻势。

　　中国芯片的猛烈攻势，导致美国近期计划采取措施调查中国的成熟芯片，可见美国芯片是真的无法在市场上与中国芯片竞争，凸显出中国芯片的竞争优势实在惊人。

　　恐怕美国怎么也没想到，数年下来，美国连连采取措施，中国芯片却仍然顽强成长起来，还大举进攻国际市场，给他们造成如此巨大的压力，这样的结果恐怕是真的让他们后悔得肠子都青了吧。