铠侠北上市新NAND闪存工厂大楼竣工-中国传动网

8月1日，存储芯片厂商铠侠(Kioxia)宣布，其位于日本岩手县北上市工厂Fab 2(K2)已于7月完工。

　　据悉，K2是日本岩手县北上市的第二家NAND闪存制造工厂。铠侠表示，随着需求复苏，该公司将在密切关注NAND闪存市场趋势的同时逐步进行资本投资。铠侠计划于2025年秋季在K2开始运营。

　　铠侠表示，虽然新建的NAND Flash工厂要到2025年才投产，但是铠侠在旁边一起建造的行政大楼已经做好准备，部分行政及工程部门将于2024年11月开始入驻办公，以监督Fab 2生产设施的运作。根据2024年2月批准的计划，这次Fab 2的部分投资得到了日本政府的资金补贴。

　　今年年初，铠侠和西数宣布，双方位于四日市和北上市的合资制造工厂已获得政府补贴，金额高达1500亿日元，其中包括生产最新一代3D NAND的工厂和下一代先进节点制程的工厂。而这也是铠侠与西部数据合资工厂第二次获得日本政府的补贴。2022年，铠侠和西数位于四日市的合资工厂就已经获得了政府高达929亿日元的补贴。

　　铠侠还强调，将致力于抓住NAND Flash闪存市场机遇，满足对AI人工智能应用和数据中心日益增长的需求，并在合适的时机实施符合市场趋势的资本投资。

　　资料显示，铠侠是全球排名第三的NAND Flash厂商，仅次于三星和SK集团(SK hynix and Solidigm)。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询今年5月底的研报显示，由于第一季产出仍受去年第四季减产策略影响，出货位元仅季增7%，但受惠于NAND Flash均价上涨，带动铠侠第一季营收季增26.3%，达18.2亿美元。第二季在供应位元逐步上升，加上提供客户更弹性的议价空间下，进一步扩大Enterprise SSD出货量，第二季营收预期将再成长约两成。