范登布林克在本月 21~22 日举行的 2024 年度 imec ITF World 技术论坛上表示：
我们提出了一个长期(也许十年)的路线图：我们将拥有一个包含 Low NA(0.33NA)、High NA(0.55NA)和 Hyper NA(预计为 0.7NA 以上) EUV 系统的单一平台。
根据瑞利判据公式，更高的数值孔径意味着更好的光刻分辨率。
范登布林克表示，未来的 Hyper NA 光刻机将简化先进制程生产流程，规避通过 High NA 光刻机双重图案化实现同等精度带来的额外步骤与风险。
多种 EUV 光刻机共用一个基础平台，在降低开发成本的同时，也便于将 Hyper-NA 机台的技术改进向后移植到数值孔径更低的光刻机上。
根据此前报道，ASML 最新的 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 就导入了为 High NA 光刻机开发的快速载物台移动系统。
此外，ASML 还计划将其 DUV 和 EUV 光刻机的晶圆吞吐量从目前的每小时 200~300 片增加到每小时 400~500 片，从而提升单台光刻机的生产效率，在另一个侧面降低行业成本。
在演讲中范登布林克还提到：“当前人工智能的发展趋势表明，消费者对多种应用有着强烈的需求。而限制需求的因素包括能耗、计算能力和所需的海量数据集。”
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