近日，三星、铠侠两大存储厂公布新消息：三星量产第9代V-NAND、铠侠新一代UFS 4.0闪存芯片出样。

　　三星开始量产第9代V-NAND

　　4月23日，三星电子宣布，其1Tb TLC第9代V-NAND已开始量产，巩固了其在NAND闪存市场的地位。

　　据三星介绍，第9代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，支持将数据输入/输出速度提高33%，达到3.2Gbps。除了这个新接口外，三星还计划通过扩大对PCIe 5.0的支持来巩固其在高性能SSD市场的地位。

　　凭借业界最小的单元尺寸和最薄的模组，三星将第9代V-NAND的位密度相比第8代V-NAND提高了约50%。功耗方面，与上一代相比，第9代V-NAND通过低功耗设计的进步，功耗也降低了10%。

　　三星电子存储业务产品和技术主管SungHoi Hur表示，通过最新的V-NAND，三星将继续引领高性能、高密度SSD市场趋势，满足下一代人工智能的需求。

　　据悉，三星将于今年下半年量产四级单元 (QLC) 型号。

　　铠侠新一代UFS 4.0闪存芯片出样

　　铠侠宣布出样最新一代UFS 4.0闪存芯片，新产品提供256GB、512GB和1TB容量规格。

　　据介绍，新闪存芯片采用了铠侠的BiCS Flash 3D闪存和主控芯片，集成了MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0，支持每通道23.2 Gbps或者每个设备46.4 Gbps的理论接口速度，并向后兼容UFS 3.1。

　　性能方面，与上一代UFS 4.0产品相比，新闪存芯片的顺序写入速度提升15%，随机写入速度提升了50%，随机读取速度提升30%，顺序读取速度不变，依旧维持在4640MB/s。

　　新产品采用JEDEC标准的9mm x 13mm封装，比上一代11mm x 13mm的封装小18%，其中256GB和512GB的闪存封装厚度为0.8mm，1TB的封装厚度为0.9mm。

　　据铠侠表示，256GB和512GB容量的产品于本月开始出样发货，而1TB的产品则需要等到6月后才能发货，样品规格可能会与最终量产版本有不同。