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国际首次,中国芯片再突破!

时间:2024-04-19

来源:全球半导体观察

导语:据四川日报报道,成都电子科技大学信息与量子实验室研究团队与清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作,在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片,这是电子科技大学“银杏一号”城域量子互联网研究平台取得的又一项重要进展。

       据四川日报报道,成都电子科技大学信息与量子实验室研究团队与清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作,在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片,这是电子科技大学“银杏一号”城域量子互联网研究平台取得的又一项重要进展。

  目前,量子光源芯片多使用氮化硅等材料进行研制,与之相比,氮化镓量子光源芯片在输出波长范围等关键指标上取得突破,输出波长范围从25.6纳米增加到100纳米,并可朝着单片集成发展。

  报道称,研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺,攻克高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题,在国际上首次将氮化镓材料运用于量子光源芯片。

  量子光源芯片是量子互联网的核心器件,可以看作是点亮“量子房间”的“量子灯泡”,让联网用户拥有进行量子信息交互的能力。

  据电子科技大学基础与前沿研究院教授、天府绛溪实验室量子互联网前沿研究中心主任周强解释,通过为量子互联网的建设提供更多波长资源,可以满足更多用户采用不同波长接入量子互联网络的需求。这意味着,“量子灯泡”可以点亮更多房间。

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