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存储大厂技术之争愈演愈烈

时间:2024-04-16

来源:全球半导体观察

导语:闪存方面,大厂聚焦层数突破。近期,韩媒报道,三星电子预计将于本月晚些时候量产第九代V-NAND闪存,该公司已于2022年量产了236层第八代V-NAND闪存,即将量产的第九代V-NAND闪存将继续使用双闪存堆栈的结构,层数将达到290层。

       AI、大数据等应用催生海量存储数据需求,也对存储技术提出了更高要求,这一背景下,存储大厂技术竞争愈演愈烈。

  闪存方面,大厂聚焦层数突破。近期,韩媒报道,三星电子预计将于本月晚些时候量产第九代V-NAND闪存,该公司已于2022年量产了236层第八代V-NAND闪存,即将量产的第九代V-NAND闪存将继续使用双闪存堆栈的结构,层数将达到290层。另据业界预测,三星未来第十代V-NAND层数有望达到430层,届时三星将换用三堆栈结构。

  而更遥远的未来,三星、铠侠两家厂商透露将发力1000层闪存。三星计划2030年前实现1000层NAND Flash,铠侠则计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片

  内存方面,存储大厂瞄准先进制程节点以及3D DRAM。

  今年3月美光在财报中透露,目前绝大多数DRAM颗粒处于1α与1β先进节点,下一代1γ DRAM将引入EUV光刻机,已经进行了试生产。

  三星DRAM芯片工艺处于1b nm级别,近期媒体报道三星计划在年内启动1c nm DRAM量产,将采用极紫外光(EUV)技术制造。2025年三星还将进入3D DRAM时代,该公司已经对外展示了垂直通道电晶体和堆叠DRAM两项3D DRAM技术。

  SK海力士同样也在布局3D DRAM,此前《BusinessKorea》去年报道,SK海力士提出了将IGZO作为3D DRAM的新一代通道材料。据业界人士表示,IGZO是由铟、镓、氧化锌组成的金属氧化物材料,IGZO 的最大优势是其低待机功耗,这种特点适合要求长续航时间的DRAM芯晶体管。通过调节In、Ga、ZnO等三个成分的组成比,很容易实现。

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