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SiC设备厂商晶升股份宣布总部生产及研发中心项目封顶

时间:2023-11-30

来源:全球半导体观察

导语:11月28日,晶升股份宣布,公司总部生产及研发中心项目完成封顶。晶升股份表示,“总部生产及研发中心建设项目”是在公司现有主营业务的基础上实施产能扩充,同时进行晶体生长设备和长晶工艺的技术研发与升级,加快研发成果产业化,助力公司拓宽产品线,从而更好地满足客户需求。

       11月28日,晶升股份宣布,公司总部生产及研发中心项目完成封顶。晶升股份表示,“总部生产及研发中心建设项目”是在公司现有主营业务的基础上实施产能扩充,同时进行晶体生长设备和长晶工艺的技术研发与升级,加快研发成果产业化,助力公司拓宽产品线,从而更好地满足客户需求。

  资料显示,晶升股份成立于2012年2月,是一家专业从事8-12英寸半导体级单晶硅炉、6-8英寸碳化硅、砷化镓等半导体材料长晶设备及工艺开发的国家高新技术企业,可为不同类型的半导体材料客户提供定制化晶体生长设备、工艺及技术服务。

  近期,晶升股份在接受机构调研时表示,公司积极开拓中国台湾市场并与客户保持密切的技术交流,目前已经取得批量订单且订货数量持续增加。此外,公司也正积极布局海外市场。晶升股份指出,公司的半导体级单晶硅炉和SiC单晶炉都已在中国台湾成功交付并验收,设备在客户现场表现良好。公司在中国台湾地区的主要竞争对手为德国、韩国以及日本等国外设备厂商。

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