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英特尔首批20A和18A测试芯片已经流片

时间:2023-03-08

来源:全球半导体观察

导语:英特尔计划在2024年上半年开始使用这个节点。按照目前行业各大企业进度看,英特尔的20A将是业界首个2nm级节点,在2024年,它将与台积电专为提高晶体管密度和性能而设计的第三代3纳米级(N3S、N3P)工艺技术展开竞争。

       英特尔中国区总裁王瑞在近期的一次活动中透露了英特尔各项制程的最新进展,王锐透露,Intel 7已经批量生产,Intel 4今年下半年将会入场,Intel 3的进度也如预期良好,而最先进Intel20A(2纳米级)、Intel 18A(1.8纳米级)流片也已经出来。

  这些工艺将用于制造公司自己的产品,以及为其英特尔代工服务(IFS)部门的客户生产的芯片。王瑞表示,但这并不意味着生产节点已准备好用于商业制造,而是英特尔已经确定了这两种技术的所有规格、材料、要求和性能目标。

  官方资料显示,英特尔的20A制造工艺将依赖于全门控环绕RibbonFET晶体管,并采用背面供电。同时缩小金属间距、引入全新的晶体管结构和背面供电是一项高风险的举措,但预计20A将使英特尔超越台积电和三星两位强有力的竞争对手。

  英特尔计划在2024年上半年开始使用这个节点。按照目前行业各大企业进度看,英特尔的20A将是业界首个2nm级节点,在2024年,它将与台积电专为提高晶体管密度和性能而设计的第三代3纳米级(N3S、N3P)工艺技术展开竞争。

  英特尔的18A制造工艺将进一步完善公司的RibbonFET和PowerVia技术,并缩小晶体管尺寸。该节点的开发进展顺利,以至于英特尔将其推出时间从2025年提前到2024年下半年。英特尔最初计划在其1.8埃节点上使用ASML的Twinscan EXE扫描仪,数值孔径(NA)光学为0.55,但由于决定尽早使用该技术,它将不得不广泛使用现有的Twinscan NXE扫描仪,光学NA为0.33,以及EUV双重图案。

  该公司预计,当其1.8纳米级制造技术在2024年下半年进入高产量制造时,它将成为行业最先进的节点。

  英特尔的20A和18A制造工艺既为公司自身产品的生产开发,也将用于Intel Foundry Services (IFS)事业部为其代工客户生产芯片。

  在英特尔最新发布的2022年第四季度和全年财报中,英特尔营收和净利数据皆不理想,创下近年来亏损新低。对此,王锐也援引行业观点——体量如英特尔的半导体公司,全面转型通常跨度需要4到5年——以期产业用更长远的眼光,来看待这家正在完成自我革新的老牌巨头。

  英特尔的首席执行官Pat Gelsinger在最近与分析师和投资者的电话会议上表示:“我们与10大代工客户中的七家保持着积极的合作关系,并持续扩大合作伙伴生态系统的增长,目前已经有43个潜在客户和生态系统合作伙伴进行测试芯片。”此外,我们在Intel 18A方面仍在取得进展,已经与我们的主要客户分享了PDK 0.5(工艺设计工具包)的工程版本,并预计在未来几周内发布最终生产版本。”

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