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NAND闪存芯片进入革新时代

时间:2022-08-05

来源:财联社

导语:与CPU和GPU仍在竞争增大晶体管密度、用更精细的技术大幅提高芯片性能不同,在NAND市场,目前,想要大幅提高存储密度,增加层数就是关键。因此,NAND闪存从最初的24层一路上升,发展到现在的200多层。

       近日,美光和SK海力士相继官宣,其NAND闪存芯片对堆叠层数突破200层限制。

  其中,美光的闪存芯片由232层存储单元组成,数据传输速度将比其上一代176层的芯片快50%,且封装尺寸比前几代产品还要小28%,预计2022年底开始量产232层NAND;而SK海力士的闪存芯片由238层存储单元组成,数据传输速度和功率比上一代提高了50%,读取数据消耗的能量也减少了21%,预计2023年上半年开始量产。

  层数越高越好

  NAND闪存几乎应用于所有主要的电子终端之中,智能手机、电脑、USB驱动器等都有它的存在。闪存受不受市场欢迎的两个重要因素,一是成本,二就是存储密度。

  而自2013年三星设计出垂直堆叠单元技术后,芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点。

  与CPU和GPU仍在竞争增大晶体管密度、用更精细的技术大幅提高芯片性能不同,在NAND市场,目前,想要大幅提高存储密度,增加层数就是关键。因此,NAND闪存从最初的24层一路上升,发展到现在的200多层。

  不过也有专家表示,在闪存芯片领域,各个厂家都有各自的技术架构和演进路线图,并不完全一致,各家都有各家的技术工艺特色。在低层级的时候,3D堆叠确实能够显著提升闪存的性能,但是随着层数的增加,性能提升也会遭遇瓶颈,需要在技术、成本和性能之间寻找一个平衡。总体而言,层数的领先并不能代表闪存技术上的绝对领先,还是综合成本和性能来看。

  美光232层NAND使用了与三星第七代闪存相似的“双堆栈”技术。将232层分为两部分,每部分116层,从一个深窄的孔开始堆叠。通过导体和绝缘体的交替层蚀刻,用材料填充孔,并加工形成比特存储部分,从而制造出成品芯片。

  而蚀刻和填充穿过所有堆叠层的孔,就成为了NAND闪存层数增加的技术关卡。

  200层的野心

  目前,大多数的闪存芯片仍在生产100+层数的芯片,但众多生产企业对200层的生产工艺都是跃跃欲试。

  早在2019年,SK海力士就做出过大胆假设,在2025年推出500层堆叠产品,并在2032年实现800层以上。

  今年稍早,美国西部数据与合作伙伴日本铠侠称,将很快推出超过200层的BiCS+内存芯片,预定在2024年正式面世。

  参与层数竞争的三星电子也被曝将在今年底推出200层以上的第八代NAND闪存,业界猜测可达224层,传输速度和生产效率将提高30%。

  现在全球的闪存格局,三星电子虽是技术的奠基者并在过去一直领导市场发展,但在200层以上的竞争上,略落后于美光与SK海力士。这两家公司入局虽晚,但技术演进势头很猛,在技术上可能保持领先优势。

  而未来,据欧洲知名半导体研究机构IMEC认为,1000层的NAND闪存也不是很远,或在10年内就会出现。层数之争依旧是NAND闪存的主旋律,就看能否有人弯道超车了。

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