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东芝推出了一款以小型贴片式MOSFET为主导的产品—XPN3R804NC

时间:2021-08-17

来源:东芝半导体

导语:MOSFET是电路中最基本的元器件,其凭借着开关速度快、导通电压低、电压驱动简单等特点,被广泛应用在各个电子领域之中,其中不乏汽车电子领域方面。

  MOSFET是电路中最基本的元器件,其凭借着开关速度快、导通电压低、电压驱动简单等特点,被广泛应用在各个电子领域之中,其中不乏汽车电子领域方面。

  众所周知,汽车电子领域对电子产品和元件的把控都有着严格的要求,比如,电子产品的抗干扰能力要强,以防止汽车被干扰而导致系统故障;电子产品的体积要尽可能的小,以适应汽车体积的限制;在正常运行下自身不可以有过高的噪声和电磁干扰,以防止干扰汽车上其他电子设备。

  因此,东芝就以上需求推出了一款以小型贴片式TSON Advance(WF)封装的MOSFET为主导的产品——XPN3R804NC,来解决车载电子领域中设备体积大,抗干扰能力差,效率低等问题。

  电气特性分析

  XPN3R804NC具有以下特点:

  采用带有可焊锡侧翼引脚结构的小型贴片式TSON Advance(WF)的封装,尺寸缩小至3.3mm×3.6mm(典型值);

  低导通电阻:RDS(ON)=3.8mΩ(最大值)@VGS=10V(XPN3R804NC);

  低漏电流:IDSS=10µA(最大值)(VDS=40V);

  增强型MOS:Vth=1.5V-2.5V(VDS=10V,ID=0.3mA);

  符合AEC-Q101认证。

  具体参数如下:

  (Ta=25℃)

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  结构特性分析

  XPN3R804NC采用的是东芝第8代U-MOSⅧ-H结构,是高速沟槽结构的MOSFET。U-MOSⅧ-H是高效MOSFET系列之一,其主要应用于AC-DC和DC-DC电源电路设计方案之中。

  U-MOSⅧ-H采用最新的沟槽MOS工艺和优化的器件结构设计,在导通电阻和电容(如输入,反向传输和输出电容)之间实现了出色的平衡关系。而且采用的U-MOSⅧ-H结构可以有助于提高电源效率,与之前的旧产品相比,除了降低设备功耗之外还可以降低辐射噪声。十分适合应用于汽车电子领域之中。

  应用场景

  XPN3R804NC凭借其电源效率高、低功耗、小型贴片式TSON Advance(WF)封装和抗干扰能力强等优势,可以被应用于车载设备、开关稳压器、DC-DC转换器和电机驱动器等汽车电子领域方面的产品中。

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