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【世强科技】ROHM 650V/1200V 涵盖4A-50A的工业、汽车级IGBT,VCE(sat)低至1.5V,开关tf 40ns!

时间:2020-10-16来源:深圳市世强先进科技有限公司

导语:罗姆(ROHM)半导体集团是全球最知名的半导体厂商之一。ROHM IGBT产品利用ROHM特有的沟槽栅、薄晶圆技术实现了低VCE(sat)、低开关损耗等特性。目前有第二代和第三代产品,第三代IGBT整体损耗更低,效率更高,元器件温度更低。涵盖650V/1200V、4A-50A多个规格,主流封装,有车规级(AEC-Q101)产品。大量应用于车载压缩机,电机市场,电源市场,空调冰箱等。

罗姆(ROHM)半导体集团是全球最知名的半导体厂商之一。ROHM IGBT产品利用ROHM特有的沟槽栅、薄晶圆技术实现了低VCE(sat)、低开关损耗等特性。目前有第二代和第三代产品,第三代IGBT整体损耗更低,效率更高,元器件温度更低。涵盖650V/1200V4A-50A多个规格,主流封装,有车规级(AEC-Q101)产品。大量应用于车载压缩机,电机市场,电源市场,空调冰箱等。

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主要产品及应用 

 第三代650V耐压IGBT:兼备低传导损耗和高速开关特性。

这些产品非常适用于UPS(不间断电源)、焊接机及功率控制板工业设备、空调、IH(感应加热)等消费电子产品的通用变频器及转换器的功率转换。

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罗姆半导体穿通型IGBT技术演化 

650V IGBT RGTVRGW产品系列

·    用于快速开关的RGTV系列,其短路耐受时间(SCWT)为2 μs

·  用于更快速开关的RGW系列,主要针对SCWT不做要求的应用

RGTVRGW产品系列特点:

1.实现业界顶级的低传导损耗和高速开关性能

在本新系列产品中,利用薄晶圆技术使晶圆厚度比以往产品再薄15%,另外采用ROHM独创的单元微细化结构,成功实现业界顶级的低导通损耗(VCE(sat)1.5V)和高速开关特性(tf=3040ns)。

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2.实现软开关,减轻设备的设计负担

通过元器件内部优化,实现了ON/OFF顺畅切换的软开关。由此,开关时产生的电压过冲与普通产品相比减少了50%,可减少用来抑制过冲的外置栅极电阻和缓冲电路等部件数量。使用IGBT时,应用端不再需要以往需要的过冲对策,有利于减轻设计负担。

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完整产品系列如下表所示,罗姆IGBT型号的前部分为TC=100 °C时额定电流的两倍。对于当前所有类别中有两种芯片配置方式,即IGBT芯片单独封装或与快速恢复二极管(FRD)共同封装。在RGTV系列中,FRDIGBT具有相同的额定电流。RGW系列中的FRD的额定电流比IGBT的低,其FRD的额定电流如表中的括号内所示。这些器件的额定电流在TC=100 °C的情况下从30 A80 A,并采用TO-247N(非隔离型)和TO-3PFM(隔离型)等封装中,具体如下表所示:

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1200V耐压IGBT:汽车级(AEC-Q101)、短路耐受时间为10μsecTj=25℃)

RGS系列产品

RGS系列产品实现了业界领先的低传导损耗(Vce(sat.)),达到业界领先水平,非常适用于电动压缩机的逆变器电路和PTC加热器的开关电路,非常有助于应用的小型化与高效化。

此外,1200V耐压产品的短路耐受时间为10μsecTj=25℃),即使在要求高可靠性的车载领域也可放心使用。

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RGS系列产品特点:

1.   业界领先的低传导损耗

通过优化器件结构,在1200V耐压级别将传导损耗(VCE(sat.))降至1.70Vtyp Tj=25℃),与其他公司同等产品(1200V40A产品)相比,传导损耗改善了约1015%

尤其是在电动压缩机和PTC加热器中,由于驱动频率较低,故对传导损耗的重视程度高于开关特性,RGS系列的出色表现已经获得客户的高度好评。

2. 产品阵容丰富,满足客户多样化需求

此次推出的四款1200V耐压产品,加上量产中的650V耐压产品,共11种机型。产品阵容中包括IGBT单品和续流二极管)内置型两种类型的产品,客户可根据需求自由选用。

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