中国，2008年5月13日 — 功率半导体业的世界领先企业意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管（IGBT），新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH™），用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内，应用的整体功率可望提高到一个新的水平，远胜标准技术的MOSFET。 
    
    开关性能的改进容许设计工程师把IGBT用于以硬开关拓扑和谐振电路为特点的高度竞争力产品。新产品关断能耗降低，使用很小的缓冲电容器即可在低结温下工作，带来降低功耗、提高可靠性、缩小电路板空间等优点。
    
    在芯片的单位面积性能方面，ST的新IGBT技术远远胜于传统的MOSFET晶体管，有助于实现成本更加低廉的解决方案。新产品还有一个优点：封装内含有一个超快速软恢复二极管，保证新产品具有其它功率器件无法实现的高dV/dt抗扰性。新系列超高速IGBT的目标应用包括70W-150W高频镇流器以及开关电源、功率因数控制器和其它的高频功率开关设备。 
    
    STGxL6NC60D系列产品共有四款产品，提供丰富的功率封装选择：TO-220、TO-220FP、DPAK和 D2PAK。
    
    详情请访问：http://www.stmicroelectronics.com.cn/igbt 

关于意法半导体（ST）公司

    意法半导体，是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合，雄厚的制造实力，广泛的知识产权组合（IP），以及强大的战略合作伙伴关系，使意法半导体在系统级芯片（SoC）技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中，ST的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。2007年，公司净收入100亿美元，详情请访问ST网站：www.st.com 或ST中文网站www.stmicroelectronics.com.cn。