OptiMOS3 40V、60V 和 80V系列可在导通电阻等重要功率转换指标方面提供业内领先的性能， 使其能够在采用标准TO（晶体管外形）封装的条件下，降低30%的功耗。OptiMOS3 40V、60V 和80V系列具备较低的开关损耗和导通电阻，与其他竞争性解决方案相比，可增加高达30%的功率密度，使相关应用的组件数降低25%以上。 

    这些全新的MOSFET适用于多种功率转换和管理应用，包括计算机、家用电器、小型电动车、工业自动化系统、电信设备以及电动五金|工具、电动剪草机和风扇等消费类设备采用的SMPS（开关模式电源|稳压器）、DC/DC转换器和直流电机驱动器。 

    全新OptiMOS 3系列可提供出类拔萃的RDS（on）（导通电阻），OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO8TM 封装具备最低1.6 mΩ的导通电阻，OptiMOS 3 60V采用D-PAK封装具备最低3.5 mΩ的导通电阻，OptiMOS 3 80V采用D2 –PAK封装具备最低2.5 mΩ的导通电阻。这些器件的FOM（优值，通过导通电阻乘以栅极电荷得出） 与同类竞争产品相比高出25%，能够快速实现开关，同时最大程度降低传导损耗和导通功耗，提高功率密度。此外，它还能降低驱动器产生的热量，因此可提高系统的可靠性。另外，较低的导通电阻允许采用3 mm x 3 mm S3O8（Shrink SuperSO8）等小型封装，因此在设计产品时只需较小的空间，提高了功率密度。 

    英飞凌电源管理与驱动产品业务部负责人Gerhard Wolf表示：“作为全球功率半导体市场领袖，英飞凌凭借丰富的OptiMOS MOSFET系列产品，使低压功率转换与管理应用实现了最佳的性能和效率。我们利用在功率半导体制造和封装方面的领先技术，不断改进器件性能，同时逐步降低外形尺寸，增大功率密度，提供出色的性价比。全新的OptiMOS3系列具有一流的效率和开关特性，有助于电源和电机设计者满足日益严格的节能要求，同时保证提供用户所需的卓越性能。”