该批新特定应用产品系列采用IR最新一代的场终止沟槽栅技术，可降低传导和开关损耗，并为低短路要求的20kHZ开关作出优化，提高UPS和太阳能转换器应用的功率转换效率。 

    IR 亚太区高级销售副总裁曾海邦表示：“传统来说，每当IGBT组件应用于UPS和太阳能转换器所使用的频率时，就会出现极大的开关损耗。IR新推出的沟道IGBT组件结合了较低的开关能量和低传导损耗。这些较低的损耗可以为终端用户提高效率、降低设备单元的体积，以及节省发电成本。” 

    新IGBT系列与超快速软恢复二极管封装在一起。与穿透型（PT） 和非穿透型 （NPT） IGBT相比较，新IGBT系列拥有较低的集电极到发射极饱和电压（VCE（on）） 及总开关能量 （ETS） 。此外，内置超快速软恢复二极管也能提高效率且降低EMI。