在半桥、斩波、六单元的技术领域，SEMiXTM 系列广泛应用于电力电子系统中。 由于总的高度小 （电源终端高度：17 mm）。 使用相同的芯片，SEMiXTM 模块可提供的功率容积密度几乎相当于62-mm 模块的2倍。SEMiXTM 将首先推出3种模块尺寸：SEMiXTM 2, SEMiXTM 3 和六单元SEMiXTM 33。SEMiXTM 系列是一种平台式设计，可提供适用于各种功率档的不同尺寸模块。
SEMiXTM 产品包括600V, 1200V 和1700V IGBT3 trench 技术; 1200V 模块也采用了IGBT3的平面工艺，电流范围为200A ～700A。 所用的续流二极管是一种CAL二极管，具有极高的动态鲁棒性。续流二极管用于快速开关和硬开关。二极管的软恢复功能可在整个温度范围内降低EMC的干扰性。
IGBT模块系列的主要优势是适用范围广：SEMiXTM 不仅支持外部驱动，而且还支持内部驱动（IPM）。用于外部驱动时，模块主要用作标准的插塞式连接器；而用于IPM 的解决方案时，则驱动是模块内部的一个组成部分。逆变器可用一个六单元或单独隔热半桥来设计。使用半桥设计大约可减少20%的热阻抗，如温度保持恒定不变，则可使负载容量提高15%，或者可使芯片温度降低10-15°C，从而提高耐久性。
新一代SEMiXTM IGBT产品是特别为中功率和大功率的驱动器、变频器设计的。
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