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德州仪器新工艺使每个硅片芯片产出量翻番

2006年06月14日 14:53:00 中国传动网

日前,德州仪器 (TI) 发布了45纳米(nm)半导体制造工艺的细节,该工艺采用湿法光刻技术,可使每个硅片的芯片产出数量提高一倍,从而提高了工艺性能并降低了功耗。通过采用多种专有技术,TI将集成数百万晶体管的片上系统处理器的功能提升到新的水平,使性能提高30%,并同时降低40%的功耗。   TI 高级副总裁兼首席技术官 Hans Stork 博士指出:“例如在手机处理器与 DSP系统方面,TI凭借在芯片制造领域的实力将推出45纳米的低成本工艺技术,并同时兼顾了性能、功耗及晶体管密度等方面的问题。这使客户能尽早推出速度更快、体积更小、功耗更低的产品,TI不断通过高良率晶圆推出数百万芯片,在业界始终处于领先地位。”   TI预计,45 纳米工艺与 SoC 集成功能将使消费者体验高达 30% 的设备速度提升,这意味着每秒更多视频帧,从而实现更佳的移动电话用户体验。此外,无线用户将可以享受到同时运行多个应用的好处,如运行3D游戏的同时与游戏伙伴们进行视频交流,还可以在后台收发电子邮件。其它预测显示,TI 45纳米SoC将使功耗降低40%,从而获得更长的视频播放时间,并把手机待机时间延长高达 30%。

供稿:德州仪器

本文链接:http://www.chuandong.com/news/news.aspx?id=915

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