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松下和瑞萨联手开发45nm技术

2006年08月07日 13:57:00 中国传动网

松下电器产业和瑞萨科技正式宣布,两公司共同开发的面向系统芯片(SoC)的半导体制造技术对象扩展到45nm产品。并计划于2007年度完成此项技术开发,于2008年度开始量产。   两公司自2005年10月起共同开发45nm技术,在业界率先采用了开口率(NA)为1以上的ArF液浸扫描仪。此外,两公司正在推进向晶体管施加局部应力以提高电流驱动能力的“变形导入高迁移率晶体管”技术,及比介电率为2.4的多层布线模块的开发。除了结构模块的技术,双方还一揽子开发所有的晶圆工艺,即所谓的全集成(Full Integration),并已经进入了正式的生产技术开发阶段。   松下电器和瑞萨科技已经共同开发了130nm制造工艺的DRAM混载技术、90nm制造工艺的SoC技术、90nm制造工艺的DRAM混载技术、65nm制造工艺的SoC技术。此次是双方继上述成果之后的进一步合作。

供稿:松下电器

本文链接:http://www.chuandong.com/news/news.aspx?id=2210

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