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IR发布新款HEXFET MOSFET系列,提升功率密度

2006年07月21日 09:38:00 中国传动网

国际整流器公司(International Rectifier,IR)日前推出全新组件,拓展其为适用于服务器、笔记本计算机适配器和台式计算机电源供应的AC-DC同步整流而设计的60V及75V HEXFET MOSFET系列。此外,新产品亦适用于DC-DC和低电压马达驱动器。 业界不断努力提升功率密度及数据处理电路的速度,使电源供应对高密度的要求有所增加。崭新的IRFB/S/SL3206、3306、3207Z及3307Z MOSFET系列通过改善AC-DC SMPS应用的RDS (on),提供卓越的同步整流表现,相比先前的业界标准,更同时把RDS (on)调低多达10%,使功率密度得以提升。 IR台湾分公司总经理朱文义表示:“随着微型处理的速度变得更快,对功率需求更高,IR全新的同步整流MOSFET让更具效率、功率密度也更大的AC-DC SMPS能降低传导损耗。” 新的75V组件最大RDS (on)由4.1m Ohms至5.8m Ohms,至于60V组件的则由3.0m Ohms 至4.2m Ohms。新产品分别有TO-220、D2Pak及TO-262封装,符合工业级和第一级湿度感应度(MSL1)要求。IR的封装选择为原有设计提供简易的性能升级路径。各种封装都不含铅,并为协助客户符合最新SMPS方案的有害物质管制规定(RoHS)指引而设计,却毋须在表现方面作出妥协。

来源:转工业控制网

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