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世界上最小的静态存储单元问世

2008年08月21日 10:35:00 中国传动网

编者按:世界上最小的静态存储单元问世,这也是全世界首次宣布在300毫米研究设备环境下,制造出有效存储单元。 日前,美国IBM公司、AMD以及纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院(CNSE)等机构共同宣布,世界上首个22纳米节点有效静态随机存储器(SRAM)研制成功。这也是全世界首次宣布在300毫米研究设备环境下,制造出有效存储单元。 SRAM芯片是更复杂的设备,比如微处理器的“先驱”。SRAM单元的尺寸更是半导体产业中的关键技术指标。最新的SRAM单元利用传统的六晶体管设计,仅占0.1平方微米,打破了此前的SRAM尺度缩小障碍。 新的研究工作是在纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院(CNSE)完成的,IBM及其他伙伴的许多顶尖的半导体研究都在这里进行。IBM科技研发部副总裁T.C. Chen博士称,“我们正在可能性的终极边缘进行研究,朝着先进的下一代半导体技术前进。新的研究成果对于不断驱动微电子设备小型化的追求,可以说至关重要。” 22纳米是芯片制造的下两代,而下一代是32纳米。在这方面,IBM及合作伙伴正在发展它们无与伦比的32纳米高K金属栅极工艺(high-K metal gate technology)。 从传统上而言,SRAM芯片通过缩小基本构建单元,来制造得更加紧密。IBM联盟的研究人员优化了SRAM单元的设计和电路图,从而提升了稳定性,此外,为了制造新型SRAM单元,他们还开发出几种新的制作工艺流程。研究人员利用高NA浸没式光刻(high-NA immersion lithography)技术刻出了模式维度和密度,并且在先进的300毫米半导体研究环境中制作了相关部件。 与SRAM单元相关的关键技术包括:边带高K金属栅极、<25纳米栅极长度晶体管、超薄隔离结构(spacer)、共同掺杂、先进激活技术、极薄硅化物膜以及嵌入式铜触点等。 据悉,在2008年12月15至17日美国旧金山将要举行的IEEE国际电子设备(IEDM)年会上,还会有专门的报告来介绍最新成果的细节。

供稿:网络转载

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